先進製程推動光阻周邊材料市場成長台廠下一個攻克目標

財經中心/綜合報導

隨製程越演先進，在半導體微影製程中除了光阻劑本身外，另有一系列光阻周邊材料扮演關鍵角色，包括表面改質劑（Rinse）、洗邊劑（EBR）、底部抗反射層（BARC）、頂部抗反射層（TARC）、稀釋劑（Thinner）以及光阻剝除劑（Stripper）等。根據研調機構Deloitte 及WSTS 資料顯示，2025 年全球黃光微影材料中，光阻及光阻周邊市場規模達67 億美元，預估至2030 年市場規模將進一步成長至96 億美元。除光阻劑市場規模增長，製程節點逐漸縮小，先進製程的高良率要求亦推升對 Rinse、BARC 等提升良率材料的用量，對於光阻周邊材料的材料精密度亦有所提升。

光阻周邊材料在製程中各有不同功能。Rinse 為表面改質劑，為黃光微影製程中用來提升良率的關鍵特化材料，可大幅改善晶圓缺陷、線槽坍塌的問題；BARC 為底部抗反射層，透過吸收或破壞性干涉，降低反射光強度，以增進光阻成像能力，提升圖形邊緣的垂直度與完整性，並且在多層光阻結構中，BARC 可有助於控制各層之間的光學干涉，減少由於反射引起的圖形不一致性，進而提升製程良率；EBR 又稱為晶邊清洗劑，是一種溶劑型化學品，用途在於移除晶圓邊緣厚厚一圈的光阻，避免邊緣堆疊對製程產生影響。

Investment Summary
光阻周邊材料市場集中度高，主要由少數日、美、德大廠壟斷主要份額，國外廠商如美商Merck、美商杜邦、日商東京應化等。但在半導體在地化趨勢下，亦為台廠帶來新契機，相關廠商如新應材(4749 TT)。Rinse 為目前新應材(4749 TT)主要產品，佔有公司整體營收約7 成，新應材已成為台系晶圓廠N3 Rinse 獨家供應商，預期N2 量產後，亦能持續維持獨供地位，將自2026年進一步貢獻營收。另外在N2 製程中，新應材同時亦供應新品BARC 及EBR。根據法人研究部通路訪查，預估光阻周邊產品Rinse/BARC/EBR）在3nm 及2nm 的用量比為1.0：1.7，其中用量增加部分為BARC 及EBR，隨N2 產能放量，新品BARC 及EBR 將能挹注公司整體營收動能。

光阻周邊市場份額集中度高，台廠迎來新契機
隨製程越演先進，在半導體微影製程中除了光阻劑本身外，另有一系列光阻周邊材料扮演關鍵角色，包括表面改質劑（Rinse）、洗邊劑（EBR）、底部抗反射層（BARC）、頂部抗反射層（TARC）、稀釋劑（Thinner）以及光阻剝除劑（Stripper）等。根據研調機構Deloitte 及WSTS 資料顯示，2025年全球黃光微影材料中，光阻及光阻周邊市場規模達67 億美元，預估至2030 年市場規模將進一步成長至96 億美元。除光阻劑市場規模增長，製程節點逐漸縮小，先進製程的高良率要求亦推升對 Rinse、BARC 等提升良率材料的用量，對於光阻周邊材料的材料精密度亦有所提升。光阻周邊材料市場集中度高，主要由少數日、美、德大廠壟斷主要份額，國外廠商如美商Merck、美商杜邦、日商東京應化等。但在半導體在地化趨勢下，亦為台廠帶來新契機，相關廠商如新應材(4749)。

防光阻塌陷就靠Rinse
Rinse 又稱為表面改質劑，為黃光微影製程中用來提升良率的關鍵特化材料，可大幅改善晶圓缺陷、線槽坍塌的問題。晶圓表面相對惰性，隨製程越演先進，光阻厚度越來越薄，圖形越精細，光阻直接塗佈容易剝離，Rinse 的主要目的之一就是為了改善光阻與基材的附著性，在表面形成一層親有機層，提供鍵結界面以防止其旋塗後剝離或圖形崩塌。另外，Rinse 亦使光阻在旋塗（spincoating）時形成均勻薄膜，避免氣泡或脫膜，進而改善濕潤性與均勻塗佈性。Rinse 亦可提供疏水
層，防止水汽或污染吸附，避免表面吸濕影響後續曝光品質。簡而言之，Rinse 功能具有 1) 良率提升：減少光阻崩塌、圖形崩塌與污染，提高曝光與蝕刻品質；2) 線寬控制精度提升：提供表面均勻性，保護高解析圖形邊緣，有助於微細圖形邊緣銳利度。
在3M 退出全球Rinse 市場後，目前Rinse 主要供應商有美商Merck(MRK US)及台廠新應材(4749 TT)。在半導體供應鏈在地化趨勢下，台系晶圓廠積極與新應材合作共同開發Rinse 產品，新應材目前已於台系晶圓廠N3 製程實現獨供，預期N2 亦將能持續維持獨供，自2026 年進一步貢獻營收。

BARC 減少反射光強度    優化微影成像能力
BARC 為底部抗反射層，是在預處理技術（塗底）時使用的一種材料。晶圓表面具有高反射性，容易產生如駐波效應的垂直方向干涉現象（Standing Wave Effect），導致光阻圖形邊緣粗糙（lineedge roughness）或反射凹陷（notching）。BARC 透過吸收或破壞性干涉，能有效抑制光源在基板上的反射，降低反射光強度，以增進光阻成像能力，提升圖形邊緣的垂直度與完整性，並且在多層光阻結構中，BARC 可有助於控制各層之間的光學干涉，減少由於反射引起的圖形不一致性，進而提升製程良率。簡而言之，BARC 在半導體微影製程中扮演著至關重要的角色，尤其在先進製程節點中，對圖形解析度、製程穩定性和良率的提升具有不可替代性。隨著製程演進對BARC 的性能要求持續提升。
BARC 供應商除了有日商日產化學(4021 JP)及美商陶氏化學(DOW US)握有大宗市場份額，台廠新應材(4749 TT)亦將於台系晶圓廠供應N2 所需之BARC，國泰證期研究部預期未來將持續擴展市場份額。

EBR 為避免光阻堆疊大功臣
EBR 又稱為晶邊清洗劑，是一種溶劑型化學品，由於旋塗中會產生離心力，光阻可能會在晶圓邊緣堆積，堆積厚度可能達到光阻標準厚度的數倍，除了邊緣光阻外，光阻亦可能會包裹在晶圓邊緣，進而污染晶圓的背面，若是不除去可能造成承接晶圓的機械手臂無法精準拿取。在此情況下恐對光阻處理系統和曝光工具造成污染，並可能對微影之外的製程設備造成問題。EBR 用途在於移除晶圓邊緣厚厚一圈的光阻，避免邊緣堆疊對製程產生影響，防止機械手臂於裝載晶圓或進行熱處理時抓取不準，或將粒子帶入蝕刻/沉積設備內造成缺陷與維修成本，進而提高製程良率及降低製造成本。
目前EBR 供應商中，海外廠商有美商Merck(MRK US)、日商東京應化(4186 JP)、JSR(4185 JP)等業者，台廠新應材(4749 TT)亦將於台系晶圓廠供應N2 所需之EBR，預期出貨量將隨N2 量產而提升。