Power Integrations發表2200V氮化鎵技術　搶攻AI數據中心與電動車市場

AFP 法新社報導

Power Integrations 總裁兼執行長 Jennifer Lloyd 表示，這項 2200 V PowiGaN 技術為新興的高壓電力系統提供了充足的電壓裕度，同時實現了最大化功率密度所需的高開關頻率。此技術將應用於下一代 AI 數據中心（產業藍圖指向 1500 V 分配架構），以及未來在更高輸出電壓下運行的電動車（EV）電池與輔助電源系統。

由於高效率和高開關頻率，GaN 功率開關正逐步取代傳統的矽電晶體。然而，隨著數據中心、電動車和再生能源對高電壓與高功率密度的需求增加，傳統替代方案如低頻碳化矽（SiC）或堆疊式低壓 GaN 元件，往往必須在複雜度與可靠性上做出妥協。

市場研究機構 Yole Group 分析師 Roy Dagher 指出，AI 數據中心向 800 VDC 匯流排架構的轉變正在重塑功率半導體市場。過去 GaN 的電壓限制使其無法進入主功率路徑，而 2200 V 的額定電壓改變了這一局面。Yole Group 預估，到 2031 年，全球功率 GaN 元件市場規模將達到 35 億美元。