三星與SK海力士升級中國廠　產高階儲存晶片迎戰中企

Reuters 路透社報導

知情人士透露，三星電子（Samsung Electronics）內部推行代號為「Monami」的計畫，預計將產量占其全球四成的西安廠轉型生產286層V9 NAND快閃記憶體晶片，目標在2027年底將月產能提升至4萬片晶圓。三星證實升級正在進行中，並強調已與美方密切溝通，符合美國出口規範，並未擴大總產能。

同時，SK海力士（SK Hynix）也計畫將中國大連廠轉向生產240層以上的NAND晶片，並可能尋求華府許可在大連進行300層以上晶片的研發。該公司目前也正與川普（Donald Trump）政府就赴美興建新NAND工廠進行商討。

受美國出口管制與地緣政治影響，兩大韓廠在中國市場面臨中國本土大廠長江存儲（YMTC）的嚴峻競爭。根據研調機構Omdia數據，長江存儲第二季在中國NAND市佔率已躍升至38.5%，超越三星的33.5%與SK海力士的17%。消息傳出後，三星與SK海力士股價雙雙收漲6%。