突破美圍堵　長江存儲傳新廠國產設備比例衝70%

Reuters 路透社報導

路透社引述兩位知情人士消息指出，長江存儲計劃於武漢興建的第四座晶圓廠，鎖定生產超過300層垂直堆疊的先進NAND快閃記憶體晶片，主要應用於資料中心與人工智慧（AI）領域。新廠預計於明年動工，內部設定中國國產設備採購比例至少達60%，甚至上看70%，顯著高於預計今年稍晚投產的第三座廠（國產比例略高於半數）。

這項高度本土化的目標，反映出中國在取代外國晶片製造設備上的最新進展。消息人士透露，北方華創（Naura）與中微半導體（AMEC）等中國本土設備商將因此受惠，訂單將集中於晶圓清洗、拋光與蝕刻等製程，但長江存儲在曝光機（Lithography）與檢測等關鍵先進製程上，目前仍無法完全擺脫對海外供應商的依賴。

美國商務部於2022年12月將長江存儲列入實體清單，嚴格限制美系技術出口。面對美方管制，長江存儲積極擴大本土供應鏈，根據市場研究機構Omdia數據，長江存儲在中國NAND市場的市占率已在第二季攀升至38.5%，超越三星電子（Samsung Electronics）。未來待武漢規劃的第三、四、五座晶圓廠全數投產後，每座廠預計月產約10萬片晶圓，將使該公司的總產能翻倍以上。